Anvendelse av wolfram- og molybdenkomponenter i halvlederionimplantasjon

 

ion implantation Introduction

 

Ioneimplantasjon refererer til fenomenet at når en stråle av ioner i et vakuum skytes mot et fast materiale, blir det motstått av det faste materialet og hastigheten reduseres sakte, og til slutt forblir den i det faste materialet. I løpet av denne perioden vil det oppstå en rekke fysiske og kjemiske interaksjoner mellom ionestrålen og atomene eller molekylene i materialet. De innfallende ionene mister gradvis energi og blir til slutt i materialet, noe som forårsaker endringer i overflatesammensetningen, strukturen og ytelsen til materialet, og derved optimerer overflateytelsen til materialet eller oppnår en ny utmerket ytelse.

 

Halvlederionimplantasjonsteknologi er en høyteknologisk materialeoverflatemodifikasjonsteknologi. Det har vært mye brukt i halvledermaterialedoping, overflatemodifisering av metaller, keramikk, polymerer, etc.

 

Ioneimplantasjon, som en viktig dopingteknologi innen mikroelektronikkteknologi, spiller en nøkkelrolle i å optimalisere overflateytelsen til materialer. I moderne produksjon av storskala integrerte kretser kan det sies å være et uunnværlig middel.
Ioneimplantasjonsprosessen har svært høye krav til materialets høytemperaturytelse og kjemisk korrosjonsbestandighet. Derfor er hovedkomponentene i ioniseringskammeret laget av wolfram, molybden eller grafitt.
 

Luoyang Rare Metal Research Material Co., Ltd produserer hovedsakelig støttedeler for ioneimplantatører, og hovedproduktene er halvlederionimplantasjon høyenergi-ionekildekomponenter laget av wolfram- og molybdenmaterialer.

 

Våre wolfram- og molybdenprodukter for ioneimplantater har stabil høy renhet og gode mekaniske egenskaper for å sikre at de er egnet for behandling av lysbuekammerdeler med komplekse former.

 

Tungsten and Molybdenum Components for Ion Implantation

 

Tungsten and Molybdenum Components for Ion Implantation 2

 

whatsapp

Telefon

E-post

Forespørsel